磁感應(yīng)強(qiáng)度B在正激開關(guān)電路中可以由下式表示：

　　Bpk = Eavg/（4×A×N×f）

　　式中Bpk為尖峰交流通流密度（Teslas）;Eavg為每半周期平均交流電壓;A為磁芯橫截面積（平方米）;N為線圈匝數(shù);f為頻率（赫茲）。

　　一般來講，磁性材料制造商會(huì)評(píng)估磁芯的額定電感系數(shù)－AL。通過AL可以很容易的計(jì)算出電感量。

　　L = N2AL

　　其中AL與磁性材料的摻雜度成正比，也與磁芯的橫截面積除以磁路長度成正比。磁芯的總損耗等于磁芯的體積乘以Bpk乘以頻率，單位為瓦特/立方米。其與制造材料與制造工藝息息相關(guān)。

　　磁芯損耗測試設(shè)備

　　測試電感性能的最有效方法就是將被測試電感放置在最終開關(guān)電源電路上，然后對此電路的效率進(jìn)行測量。但是，這種測試方法需要有最終電路，不易采用。現(xiàn)在，有一種相對簡單的測試方法，可以在設(shè)計(jì)開關(guān)電源前對電感的磁芯損耗進(jìn)行測試（在其設(shè)定的開關(guān)頻點(diǎn)上）。首先，將磁芯串連放置在低損耗電容介質(zhì)上（比如鍍銀云母）。然后，用一系列共振模驅(qū)動(dòng)。其中介質(zhì)的電容值需要與被測電感的開關(guān)頻率一致。最后采用網(wǎng)絡(luò)分析儀來完成整個(gè)測試過程（信號(hào)發(fā)生器加上一個(gè)射頻伏特計(jì)或者功率計(jì)也可以完成測試）。測試設(shè)備的結(jié)構(gòu)如圖2所示。

　　圖2 測試測試剖面圖

　　在諧振點(diǎn)，低損耗的磁芯可以看成L-C共振回路。此時(shí)損耗可以等效為一個(gè)純阻元件（包括線圈損耗和磁芯損耗）。在上面的測試設(shè)備中，端子A和R都連接著50Ω電阻。此設(shè)備的開路（不包括電感）等效為150Ω負(fù)載的振蕩器。在網(wǎng)絡(luò)分析儀上可以表示為：

　　20×Log（A/R） = 20×Log（50/150） = -9.54 dB

　　在這個(gè)測試電路中，諧振電容為2000pF，被測電感大概為2.5mH～2.8mH，測試頻率為1kHz。其中，磁性材料的滲透率是一個(gè)與頻率有關(guān)的非線性函數(shù)，在更高的頻點(diǎn)上，測試結(jié)果有可能不同。

　　磁芯損耗實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

　　一個(gè)相對磁導(dǎo)率為125mr的單層鐵鎳鉬薄片磁芯，外圍纏繞10/44的多芯電線16匝，另一個(gè)雙層250摻雜度的鎳鐵鉬磁粉芯，外圍纏繞10/44的多芯電線8匝。電感量測試值分別為2.75mHy 和 2.78mHy。第一個(gè)電感雖然是16匝，但是橫截面積是第二個(gè)電感的一半。在相同振幅信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下，這兩個(gè)電感的損耗都很高。等效電阻分別為360Ω 和300Ω。相對的，另一個(gè)電感（2.5mHy）采用Micrometals公司的非常低的摻雜材料（羰基T25-6 ，相對磁導(dǎo)率為 8.5）。10/44多芯電線34匝。在同樣的驅(qū)動(dòng)信號(hào)下，他的等效電感制造商損耗電阻為22000Ω。

　　結(jié)語

　　對于低功耗開關(guān)電源的電感選取有許多特殊注意之處。對于低功耗、高效率的開關(guān)電源設(shè)計(jì)，一般的器件資料或者選型表提供的參數(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。通常的電感都是鐵氧體磁芯（非低損耗材料），必將逐步在低功率、高效率的應(yīng)用中淘汰。一種相對簡單的電感損耗測試設(shè)備可以在設(shè)計(jì)的頻點(diǎn)測試電感的損耗，對比模壓電感廠不同電感的性能。

　　當(dāng)設(shè)計(jì)需要選取低損耗電感時(shí)，應(yīng)選取低摻雜度材料來獲得低的磁場強(qiáng)度參數(shù)-B。并選擇低損耗的磁芯或考慮采用多芯電線。并且，最好采用芯片公司推薦的磁性元件，或者向?qū)I(yè)的磁材料專家請教，以便能夠滿足特定的需求。