由于是第一次發帖 希望各位大神盡量吐槽，點評，扔雞蛋 、砸磚頭（限金磚，不可以砸人）、小李不勝感激萬分感謝！
做電源RD的，很多時候我們需要耐心、認真、細心、謹慎！
下面我就分享我一個最近做過的項目吧。
挑戰反激無PFC150W
第三季開始了？我怎么不知道呢 呵呵，預熱期 我心急嘛 急著大家砸金磚 馬上開始啦，現在就可以參加！ 頂一個，請繼續。
這段時間有項目插進 做了一款24W雙輸出的無Y設計，導致 帖子停了些許時間
加油更新 粗看客戶規格書要求 得出以下信息：
輸入要求：
輸出要求：
這是初步~
原理圖版本1走起~
為什么說是原理圖版本1呢 因為后續EMI整改~~
難道大家都沒有什么想說的嗎？？一個人的精彩？？接著上版本1的PCBlayout圖：
為了能過EMI，不惜成本，加了三級共模，可想而知，EMI是多么的“詭異”
據說這個板子是整過了EMC的，所以，接手后的原理圖1，前級為什么是三級共模，原因出來了。
板子整得很殘忍，當然板子的變壓器已經不是原來的變壓器了 ，為了好看 加了一個終極版本的變壓器
分享其它論壇的資料，覺得很好，這些資料也在后續的調試EMC中 使用了部分大招（以下內容源于其它電源論壇，一字不漏拷貝，如有疑問，能力范圍內解釋）
F1：保險管的壽命受輸入浪涌電壓和浪涌電流的雙重影響，應該盡可能采用慢恢復型保險管，一般是按照最大輸入電流的兩至三倍選取。AC輸入時，浪涌電壓的影響可能要嚴重些。電池輸入（低壓），如果輸入端抑制不足，浪涌電流對保險管的影響可能要嚴重些。AC輸入時，在工業場合，浪涌電壓也遠比民用場合嚴重，這時防雷器件（參數及結構配置）的設計對保險管的影響尤其突出，必要時還要采用雙（三）保險。相關設計過程可以參考專門針對防雷電路、浪涌電流抑制電路的設計文獻。單保險管要接在L線上，且玻璃管引線封裝最好增加一層熱縮套管，并且在PCB板上標明容量。
RT1：熱敏電阻的主要作用是抑制輸入浪涌電流，RT1過大，發熱嚴重。RT1過小，可能會影響到保險管和輸入電解電容的壽命。輸入沖擊電流一般是硬性指標，選擇RT1時一定要仔細的核實最大沖擊電流限制值，如果沒有給出這項要求，可以參考同等功率級別的其他類型產品。在全密封條件下，RT的發熱可能會非常嚴重。另外，如果產品要求低溫啟動測試，RT阻值會變得相當大，很可能導致產品無法正常起機。
X電容：60W的產品，采用0.47uF的X電容，比較保險。換句話說，30W的產品，應該采用0.22uFX電容，120W的產品采用1uF的X電容。盡管這種方法沒有什么科學依據，但是確實屢試不爽。如果你喜歡比較有挑戰性的工作，那就另當別論了。X電容與Y電容不同，X電容容量大一點也不會讓其他地方變得更加惡劣。在成本不是主要因素的情況下，對自己好一點，多留條活路。另外，在圖①中，絕大部分人并不認可C4作用，此處存在了很大爭議性。Y電容：Y電容的配置有兩個的，也有四個的；有102的，也有222、472的，有串磁珠的，也有串電阻的，只要EMI都能過，只要泄露電流沒超，都是萬歲！總之五花八門，千奇百怪。這也反映出人們內心對于Y電容充滿深深的恐懼。其實Y電容并沒有錯，性能也較為優良，罪魁禍首都在于磁性材料（共模電感、變壓器）及接地方式，后續分析。
MOV1：壓敏電阻的計算方式并沒有統一標準，一旦對實際情況估算錯誤（擊穿電壓偏低），反而會對產品造成嚴重的危害。在防雷要求不高的民用產品中，一般采用14K471居多，工業場合一般都在500V以上，如14K511，14K561等等。如果你不了解產品的真實用電環境（非居民小區用電），要盡量避免使用500V以下的壓敏電阻。不同的行業，采取的防雷措施不盡相同，論壇上也討論較少，一定要認真仔細的研究，特別是與多個保險管的配置方面。另外，配置防雷管后，耐壓測試時往往會出現誤動作，這也是讓人頭痛的問題。MOV1需要增加熱縮套管。
DB1：小功率產品，選型比較簡單。從散熱的角度考慮，寬范圍60W產品，整流器的最低規格不應該低于2A。在成本不苛刻的條件下，一般采用4A即可。對于某些特殊場合，如存在瞬態高浪涌電壓，整流器的規格應該進一步增大。有種情況很少見（但確實有存在），有部分工程師選擇輸入電解電容時，會選擇超大的容量（可能是量不大，又是自家用），而浪涌抑制（熱敏）電阻的規格卻特別小。這時候強大的沖擊電流會對保險管和整流器形成致命的威脅。專業的電源制造公司不會出現這種情況，而非專業制造商，在開發系統配套產品時，由于開發人員經驗不足，又缺乏嚴謹的測試規范，而忽略這些潛在的隱患。
共模電感：上面分別給出了三種配置，方案①，這種配置比較多。我們經?？吹降那闆r是：前級一個￠8～￠16的小磁環（30～1000uH），后級采用一個￠20～￠25的大磁環（15～30mH），前級作用在高頻，后級低頻，高低搭配剛好合適。方案②，這種情況也較為常見，前后兩個一模一樣的共模線圈，非常美觀。采用這種配置時，為了保證較好的濾波效果（降低分布電容），每一級的電感量（匝數）不能太高。這樣不僅會降低共模電感的分布電容，繞制工藝也會相對簡單，而且美觀，就是成本較高。方案③，一般對EMI要求較低的產品較多使用，低成本EE型共模電感最為常見。部分對成本要求苛刻的產品中，不少人也會采用單個￠18～25左右的磁環來設計，這需要開發人員具備足夠的經驗及技巧。共模電感的材質、形狀、繞制工藝對濾波效果影響較大，而且EMI濾波元件配置與整機結構也有很大的關系。
很多人不曉得如何去計算共模電感值，下面是一種參考方法(適用于中小功率)。
100KHZ------30mH
1.0MHZ------3.0mH
10MHZ-------300uH
100MHZ------30uH
5.0MHZ------600uH
30MHZ-------100uH在傳導測試時，3*F，1MHZ，5MHZ，20～30MHZ這四個點容易出問題。
注：1、這種方法，只具有規律性，而沒有科學性；
2、共模電感的材質、形狀、繞制工藝對其濾波效果影響非常大；
3、共模電感不會飽和（對稱繞制），但會產生較高的浪涌電壓；
4、共模磁環，最好只繞兩層，在磁環繞制工藝方面建議多下點功夫；
5、共模濾波的設計原則是如何讓其更有效
對于整改EMC，X電容，Y電容，共模的感量設計真的很多是很實用的 還有雷擊 浪涌這個資料很好，實用~
版本0的X電容就是474+224，Y電容用的就是2個Y串聯。
圖片是調試的時候拍的，去年的事情了，版本0到此over，接下來開始版本1的調試及問題點。
mark，支持老師 沒想到這么快就第三季啦，恭喜樓主搶占先機 我是偷渡的~！~！ 哈哈 我算不上什么老師 頂多就是個學生~ mark一下 實用干貨，mark一下， 哈哈 非常感謝支持 也歡迎發表意見及見解 ??！ 具體過了EMC那些項目呢？還有能說下 具體能抗的住幾個等級？ 版本3就是EMC， 版本四就是 取消EMC 其中遇到很多很多問題 還望大神 可以發表意見 謝謝！！ 請問變壓器的參數是要自己設計嗎？比如一些智能軟件，輸入參數就能獲得。。還是芯片手冊上有說。。本人小菜鳥一個，麻煩大神請教
反激做的方案嗎？ 170W，效率溫升沒問題？
效率88+ 溫度剛剛開始是個問題 后來就沒有問題了
版本1的調試無非就是在按照版本0的基礎上做幾個樣板驗證一下版本0的整改是否OK？結果是如最后一張圖 溫升 溫升 溫升~！~！
公司有科環傳導儀器可以測試，雖然有條線看起來不是很理想 據其他項目工程師說 那條線問題不大 第三方測試是沒有問題的 所以沒有多究~
![WPTW}15SKC)(][QM8@}C%JB](/d/file/dongtai/2017-09-02/64989ad78c1fb072fee5b8de18dd1e02.png)
版本1的散熱片已經做了這樣的處理，橋堆GBU封裝 獨立散熱片 輸出同步整流mosfTO-220封裝 獨立散熱片 主功率mosf也是獨立散熱片 而且散熱面積是如此的“奢侈”~~其結果還是如上圖結果~
據版本殘留物發現 之前有打樣純銅今的散熱片來處理散熱問題 可想而知 這個熱問題是如此的棘手~
然而從溫度數據可以發現 并不是只有加散熱片的器件熱 看看變壓器 磁環 電解電容 限流電阻 還有其它 難道這在熱設計分布不均勻或是均勻？
來不及處理驗證這些問題的時候，公司另一個項目工程師有項目外出測試輻射（公司沒有輻射儀），借此機會也一起外出測試一下 看看結果回來再做進一步處理。然而：（只上傳最后測試的結果）
當時項目開案的時候 因為某些原因 具體原因不詳 后來案子處于呆滯狀態 雖然呆滯 但是一有空余時間 還是馬上分析處理問題。
從第三方測試機構回來后 拿著余量不足的機子 再次做了評估，如圖 MOSF D極穿了電阻 還在D-S極加P 可想而知 這個溫度會比之前還高 溫度的測試已經不用多此一舉了！
支持
支持！菜鳥一枚，來學習學習，老師好
然而回來之后重心還是在于輻射上面，在輻射結合溫升這一塊做了一些小改動，主要還是集中在mosf這一小部分，
如圖，因為之前的封裝都是小一號的，然而進入了嚴重的“誤區”（增加散熱面積解決溫度問題）結果并不能達到理想的效果，此處用的滌綸電容的耐溫是85度的，此處溫度已經超過了85度，滌綸已經完全因為高溫變色失效了，電阻也是，所以看到了一個瓷片電容，PCB二極管封裝是DO15的 已經換成了DO27的實物 慢管 1N5408 可想5408有多慢 實則就是一整流二極管 所以這溫度高，用快管有擔心存在輻射問題。如何去折中，如何去選mosf也是很關鍵。
是的沒錯過了，但是作為專案項目工程師，知道問題的弊端，溫升 因為過是過了 但是 這測過的不是coolmosf是平面mosf，在公司的時候已經做過接近的溫度實驗，溫度是不合格的，結果回到公司一測試，不說了 版本1就這樣結束了。接下來開始了版本2的開始 結合版本1的整改而整改~
結合版本1的整改，雙Y 取消一級共模 取消一級X電容，然而每次版本的更改 layout都會發生或大或小甚至是大改~~~你知道改圖的“痛苦”不~~~~~~PCB版本3和2主要是橋堆封裝由GBU改為了KBJ，散熱片獨立了一大塊整體，之前是分開散熱的。
PCBlayout的首要條件是走通，對比版本發現mos管的驅動信號，檢流電阻的檢流信號到IC的走線越來越長了O(∩_∩)O~，長的已經看不到邊，VCC反饋環也是（雖然單點接地有5星之稱）但是在這里需要IC地到VCC地然后再回到BUCK地。進而出現了后續的一系列調試及其它問題。
對于溫度的整改（在空間允許、成本可控的情況下）做了一系列的處理，共模由小環的改為大環（還有同一環高導的）的線徑加粗減小內阻降低損耗；電解電容（從中元 豐賓 智寶 綠寶石慢慢選?。┻x擇ESR更小的，紋波電流也會小很多溫度也會低不少；RCD鉗位在尖峰允許的情況下盡量減輕（同時也要考慮輻射）（為了這個D的選取做了不少溫度測試，也選擇了不少管子，從1N5408 FR308 HER308 R6封裝的6A10 10A10 FR607 從長電 平偉 強茂~~）（重點在于衡量溫升 TRR 并且兼容輻射）更加離譜到還選擇了用TO-220封裝的去測試溫度；橋堆也是如此從芯片130-140 從橋堆內部連接方式 從平偉 強茂~~；散熱片做了銅鋁結合，對于銅與鋁導熱系數：銅的導熱系數是比鋁高的，對于散熱系數：鋁卻比銅高，但還是要結合成本；導熱硅脂也有導熱系數選?。?
做了這么多的選型規格書選型表會發現滿桌都是~亂~
版本2改了layout之后 還改了其它器件選型之后問題來了，波形畸變；從39樓可以看出驅動，FB等走線都越來越長了，開始調整參數，從FB腳電容，CS對地電容，431反饋環結合，mosf的選擇（有時間補上）過流點的平衡等一步一步調試~~（初級）
調試好之后的波形（初級）
必須的李大師，必須頂上?。。? 感謝飛哥，飛哥帶我飛！ 實實在在的干貨?。。≠潱?！ 感謝支持！希望多提寶貴意見，互相學習共同進步！
如下圖是次級的VDS波形，尖峰毛刺非常高，存在因過沖擊穿mosf的隱患，按照匝比計算，Vor=（vo+vd）*n 也就100V這樣，而且出現這樣不均勻的尖峰毛刺，是有問題的。為此也做了不少調試及請教原廠。其中原廠給出的答案是Layout問題，說次級SR走線引起的干擾，為此出現了版本3~茲因當時案子及也為了證明是layout問題，特意手動改了2個手工板，手工割開線路，然后按照原廠給出的layout參考貼上去，然而結果并不理想，懷疑是接得不好，最后加急打了版本3的出現~
繼續lz
哈哈，謝謝關注！
然而版本3按照原廠提供的layout參考修改結果是：然并卵~
套路都是老了的整Y，整共模，整變壓器屏蔽，結合效率，結合可靠性及溫升（其實這次的整改溫升實驗沒有做完就出去第三方了~結果更加悲哀~）整改了5個方案，因為考慮到傳導越好輻射估計就難整了 所以做了幾種方案去處理~
傳導和輻射的整改需要耐心一步一步調試，經驗加理論非常重要！
PCBlayout版本的改變也會或多或少的出現一些常規問題：如圖，畫圈的地方，靜電問題。安規靜電要求：空8接4，空氣放電只要是針對外殼的細縫的連接強弱性，接觸放電只要是針對整體，外殼、輸出、輸入線的測試。
此產品是外殼鎖螺絲的，看絲印已經發現，SR的驅動線已經在陰影區了，安規要求沒有問題，空氣接觸12KV的時候次級SR的IC掛了，前級AC端也有這個陰影區問題，靜電的時候保險管也掛了；板上加的幾處放電針都是為了打靜電的時候給靜電一個泄放回路
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