逆變電路原理圖如圖所示,當上橋臂(或下橋臂)關斷而下橋臂(或上橋臂)未開通時,柵極電壓會出現震蕩,導致輸出的電壓產生振蕩,可能是電流變化太大導致的,因為當負載較小時會產生振蕩,負載較大(即電流較?。r電壓就沒有明顯振蕩。
請問這種情況一般如何解決呢?謝謝!
浮空波形。
可能是長線導致的。
戈衛東發表于2017-2-621:34
浮空波形。
可能是長線導致的。
謝謝,請問這個問題如何解決呢?可以通過并聯電容解決嗎?如果不管它行不,會對后面的電路造成什么影響?
另外我的板子下橋臂柵極的線比上橋臂的長,為什么上橋臂的柵極電壓有震蕩而下橋臂沒有呢?
因為死區的存在,并且過渡時負載電流不為0,這個振蕩是必然發生的。
它可能會給EMC帶來困難,如果EMC沒有問題就不用管。
tianshihe發表于2017-2-713:13
謝謝,請問這個問題如何解決呢?可以通過并聯電容解決嗎?如果不管它行不,會對后面的電路造成什么影響?...
上管的柵極是跟隨負載電壓的,負載電壓發生振蕩所以上管柵極也跟著振蕩。
下管沒有這個問題。
戈衛東發表于2017-2-719:25
因為死區的存在,并且過渡時負載電流不為0,這個振蕩是必然發生的。
它可能會給EMC帶來困難,如果EMC沒有問...
我大概懂了,但是還是不太明白為什么過度時負載電流不為零?是因為MOS管有電容么?
另外我想既然是負載電壓振蕩,我就在Q2和Q4處各并了一個10uF電容,結果導致28V和地之間的一個鉭電容炸了,是因為鉭電容兩端過壓了嗎?還是鉭電容兩端出現了負方向的電壓呢?
tianshihe發表于2017-2-822:23
我大概懂了,但是還是不太明白為什么過度時負載電流不為零?是因為MOS管有電容么?
另外我想既然是負載電...
過壓
lin5674675發表于2017-2-1013:27
過壓
謝謝。
今天我又做了下實驗,我覺得應該是出現了負電壓吧??
我把電容撤了(還是用原來的逆變),然后直接接變壓器,變壓器后端接6Ω負載,鉭電容用的50V耐壓的,還是不行,換了無極性的陶瓷電容就好了。
所以我覺得可能是有方向相反的電壓加在鉭電容上了。
tianshihe發表于2017-2-1417:27
謝謝。
今天我又做了下實驗,我覺得應該是出現了負電壓吧??
我把電容撤了(還是用原來的逆變),然后直...
這種電路容易出現很窄的尖峰,鉭電容太脆,不適用。
lin5674675發表于2017-2-1013:27
過壓
我錯了,您說的是對的。
是過壓,附上母線電壓的波形。
戈衛東發表于2017-2-1519:40
這種電路容易出現很窄的尖峰,鉭電容太脆,不適用。
嗯,我有看到網上說同樣的耐壓等級,陶瓷電容的實際耐壓比鉭電容高一些。
tianshihe發表于2017-2-1520:54
嗯,我有看到網上說同樣的耐壓等級,陶瓷電容的實際耐壓比鉭電容高一些。
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鉭電容的耐壓是破壞限制,大容量陶瓷電容的電壓是容量衰減限制,一般沒有到破壞電壓。
戈衛東發表于2017-2-1522:00
鉭電容的耐壓是破壞限制,大容量陶瓷電容的電壓是容量衰減限制,一般沒有到破壞電壓。
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受教了。
所以戈老師,請問有沒有辦法能把這個減小呢?
我現在連了個松耦合的變壓器,初級和次級都串了個6uF的補償電容,然后發現初級線圈那里有振蕩,加了1uF的母線電容發現振蕩頻率變小,但是幅度變大,而且對次級也造成了影響。
所以這個振蕩應該怎么減小呢?
戈衛東發表于2017-2-1522:00
鉭電容的耐壓是破壞限制,大容量陶瓷電容的電壓是容量衰減限制,一般沒有到破壞電壓。
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補上加母線電容后初級線圈和次級負載的電壓波形
目標是什么?負載電壓希望是方波?
看你的波形,各種奇怪的振蕩都有。
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戈衛東發表于2017-2-1522:26
目標是什么?負載電壓希望是方波?
不是方波,但是要平滑,好的波形不是應該平滑么?13樓那個負載波形還算平滑,我想通過調整補償電容能夠做到類似于正弦波的形狀。
但是我的兩個上橋臂的MOS管溫度升高很快,我覺得可能和初級線圈兩端電壓的振蕩有關系,所以想把它消掉或者減小看看。
http://wenku.baidu.com/link?url=...zzI35jrmNvEDGOBsi6G
Siderlee發表于2017-2-1613:53
http://wenku.baidu.com/link?url=73VWW8TKv15nhaPpE3ubCdJYAyudWh-FfS7GtzXYBacsfCCuEuBXN2bP3W3vzwjJRzGE...
您的意思是自舉電容選小了嗎?但是我量了上橋臂Vgs,發現Vgs基本在接近15V不會下降,我想應該不是自舉電容不夠的原因吧。
附上Vgs圖。
你初級是方波,要在次級得到正弦波,那么低的耦合,還有次級要有諧振,而且頻率要和初級一致。
你還需要抑制不需要的頻率。
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