晶體管原理知識對于剛剛開始接觸電子電路設(shè)計的新人工程師來說，是非常重要的。薄膜晶體管作為一種非常常見的電子元件，在很多工業(yè)控制電路系統(tǒng)中都能看到它的身影。在今天的基礎(chǔ)課堂知識分享中，我們將會就這種晶體管的工作原理知識展開簡要介紹。
作為絕緣柵場效應(yīng)晶體管的一個重要分支，薄膜晶體管的工作狀態(tài)其實跟單晶硅MOSFET沒有太大的區(qū)別，下面我們就以n溝MOSFET為例來說明其工作原理。這種MOSFET的物理結(jié)構(gòu)如下圖所示。
n溝MOSFET物理結(jié)構(gòu)圖
在了解了其物理結(jié)構(gòu)后，接下來我們來具體分析與喜愛薄膜晶體管原理。這種晶體管的工作原理其實并不復(fù)雜，當(dāng)柵極施以正電壓時，柵壓在柵絕緣層中產(chǎn)生電場，電力線由柵電極指向半導(dǎo)體表面，并在表面處產(chǎn)生感應(yīng)電荷。隨著柵電壓增加，在晶體管的表面將由耗盡層轉(zhuǎn)變?yōu)殡娮臃e累層，形成反型層。當(dāng)達到強反型時，源漏間加上電壓就會有載流子通過溝道。當(dāng)源漏電壓很小時，導(dǎo)電溝道近似為一恒定電阻，漏電流隨源漏電壓增加而線性增大。而當(dāng)源漏電壓很大時，它會對柵電壓產(chǎn)生影響，使得柵絕緣層中電場由源端到漏端逐漸減弱，半導(dǎo)體表面反型層中電子由源端到漏端逐漸減小，溝道電阻隨著源漏電壓增大而增加。漏電流增加變得緩慢，對應(yīng)線性區(qū)向飽和區(qū)過渡。當(dāng)源漏電壓增到一定程度，漏端反型層厚度減為零，電壓在增加，此時半導(dǎo)體器件進入飽和區(qū)。
以上就是本文針對薄膜晶體管原理知識，所進行的總結(jié)和年間要分析，希望能對各位新人工程師們的設(shè)計和學(xué)習(xí)有所幫助。 大功率電感廠家 |大電流電感工廠
