IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開關(guān)速度和軟度要求是推動(dòng)這些不同型號(hào)器件優(yōu)化的主要?jiǎng)恿Α_@些型號(hào)包括具備快速開關(guān)特性的T4芯片、具備軟開關(guān)特性的P4芯片和開關(guān)速度介于T4和P4之間的E4芯片。
表1簡(jiǎn)單介紹了IGBT的3個(gè)折衷點(diǎn),并對(duì)相應(yīng)的電流范圍給出了建議。
IGBT和二極管的動(dòng)態(tài)損耗
為研究和比較這三款不同芯片在雜散電感從23nH到100nH時(shí)的開關(guān)損耗和軟度,我們選用了一種接近最優(yōu)化使用T4芯片的合理限值的模塊。因此,選擇一個(gè)采用常見的62mm封裝300A半橋配置作為平臺(tái),而模塊則分別搭載了這三款I(lǐng)GBT芯片。
這三個(gè)模塊都采用了相同的高效發(fā)射極控制二極管和柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)置。圖1為實(shí)驗(yàn)設(shè)置。
圖2顯示了兩個(gè)不同雜散電感對(duì)配備IGBT-T4的300A半橋的開通波形的影響。
當(dāng)電流升高后,更高的雜散電感Ls不僅可以增大器件端子的電感壓降(Δu=-L*di/dt),而且還能影響電流上升速度di/dt本身。盡管寄生電感使導(dǎo)通速度減緩,但導(dǎo)通損耗卻大幅降低。 大功率電感廠家 |大電流電感工廠