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深圳市瑞申電子有限公司

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村田多層陶瓷電容器的動態模型和演變的電路模擬

時間:2020-12-23 07:37:42 點擊:

日前,村田制作所(以下簡稱“村田”)在其官網上公開了最新研發的多層陶瓷電容器的動態模型。

該動態模型最大的特點就是在展示電路模擬時,能夠反映任意指定溫度和施加 DC 偏置電壓時的特性。

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圖 1:利用多層陶瓷電容器的動態模型計算阻抗值的事例

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近年來,隨著電子設備信號高速化、元件數量增加以及高密度貼裝化,設計難度也在不斷增大。

設計人員為了降低試制成本,減少試制實驗次數,充分利用電路模擬技術,就必須要在短時間內實現準確率較高的設計。

為了實現高精度的模擬,必須設定高精度元件樣品,特別是在高介電常數的條件下能夠顯示出溫度和 DC 偏置電壓的依存性,因為在不同條件下,容量和 ESR(Equivalent Series Resistance,等價串聯阻抗,電容器阻抗值的實數成分)的變動也不可忽視。

例如,設計 DC-DC 轉換器時,除了 DC 偏置電壓的依存性外,還要考慮發熱引起的溫度依存性(圖 2)。

圖 2:與靜電容量值的溫度和 DC 偏置電壓相對的依存性

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在進行這樣的設計時,如果能有可以根據電路的操作條件動態反映其依存性的元件模型,將會大有幫助。

村田提供的多層陶瓷電容器的動態模型(Murata's dynamic model,能夠動態反映特性差異原因的模擬用元件模型)通過電路模擬,能夠高精度并且動態地反映溫度和施加 DC 偏置電壓時的特性。

這是如何實現的呢?簡單來說,等價電路模型在常溫(25℃)下的 DC 偏置以 0V 靜態模型(Murata's static model,指定條件時的元件模型。

僅有電路的基本要素(R、L、C)構成)為基準,將它與被稱作工作電源的電源模型并聯連接。

因為電源模型會根據溫度和施加的 DC 偏置電壓自動計算容量和 ESR 的變化部分,所以成為了動態反映這些依存性的結構。

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構成村田動態模型的元件基本上能對應 DC 解析、AC 解析、過渡解析等各種各樣的解析,因此能夠有效實施高準確率的電路設計。

目前,對應各軟件的模型程序庫可以在村田官網下載使用,這些模型程序庫已被眾多客戶使用,并備受好評。

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此外,村田官網上的設計輔助工具 SimSurfing 同樣可以通過圖表確認使用動態模型計算的各種各樣的特性。

例如,可通過多個元件改變 DC 偏置電壓的同時,簡單比較阻抗的頻率特性。

在 SimSurfing 上輸入任意溫度和 DC 偏置電壓,都能夠輸出輸入條件下的 S 參數和 SPICE 網表。

輸出的 SPICE 網表是僅通過電路的基本要素(R, L, C)構成的靜態模型,因此模擬器在不對應動態模型時和減少計算量負荷時非常有效。

靜態模型不能自動匹配電路上任意條件,在指定唯一條件時與動態模型嚴格一致。

圖 3:多層陶瓷電容器的動態模型(事例)

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表 1:村田各種電路模擬器用的模型公開狀態

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我們可以用 DC-DC 轉換器的特性解析中使用的動態模型的案例進行說明。

圖 4 是降壓型 DC-DC 轉換器的電路圖,將輸出端子的電壓測定值和模擬值進行了比較。

圖 4:降壓型 DC-DC 轉換器的電路圖

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動態模型適用于輸出電路的平滑電容器,為方便比較,結合使用傳統靜態模型(常溫、DV 電壓 0V)時的計算值進行展示。

測量條件和計算條件的各種因素如表 2 所示。

圖 5 是輸出端子中紋波電壓(左)和由于負荷變動導致的電壓瞬態響應(右)。

紋波電壓通過除去直流成分的值進行比較,可以看出動態模型更接近。

此外,瞬態響應是指負荷由 55Ω變到 0.5Ω(電流由 0,5A 變為 5A)時的電波波形,負荷變動后,輸出電壓的值急速下降,動態模型的計算值和測量值相對一致。

電壓會部分隨著直流電流的增大而逐步攀升,雖然功率電感器的特性受到了影響,但由于本次功率電感器不適用于動態模型,因此產生了許多差異。

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表 2:測量條件和計算條件的各種要素

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圖 5:輸出端子中紋波電壓和負荷變動引起的電壓瞬態響應(右)

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不難看出,村田實施的動態模型的制成方法具有極高的通用性,方便用于其他產品。

功率電感器具有依存材料的物理性質的直流重疊特性,而村田的動態模型又能夠反映直流電流的阻抗值和 Q 值的依存性。

因此,如果和多層陶瓷電容器一起使用的話,能夠進行更高精度的模擬。

在對應動態模型的程序庫方面,今后村田也將提供更多的模擬,同時將不斷擴充新計算功能和對應品種,滿足客戶各種各樣的需求。

(圖 6)

圖 6:未來展望

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隨著產業的不斷進步,產品研發、設計對信號(SI)、電源(PI)、電磁干擾(EMI)等品質的要求進一步提高,提高反映元件重要特性的高精度模型變得越發重要。

顯然,村田的動態模型能夠很好地滿足這些期望,今后村田還將繼續擴充適用品種和機能,繼續致力于使用電路模擬的開發、設計。

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