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深圳市瑞申電子有限公司

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EMI用高磁導(dǎo)率MgCuZn軟磁鐵氧體JM1K材料的研制

時(shí)間:2024-08-01 00:08:00 點(diǎn)擊:

EMI (Electromagnetic interference)是現(xiàn)代電子技術(shù)面臨的一個(gè)重要挑戰(zhàn)。

高頻電磁干擾會(huì)影響電子設(shè)備的性能、可靠性、安全性和生命期。

因此,研究和開發(fā)高質(zhì)量的軟磁鐵氧體材料是減少電磁干擾的關(guān)鍵。

在這種情況下,MgCuZn軟磁鐵氧體是一種具有良好磁性和高磁導(dǎo)率的材料。

JM1K是一種高磁導(dǎo)率MgCuZn軟磁鐵氧體,其優(yōu)點(diǎn)包括高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度、低磁阻、低銅損耗和優(yōu)良的高頻特性。

因此,JM1K材料已廣泛應(yīng)用于EMI濾波器、磁隔離器、變壓器、感應(yīng)器等領(lǐng)域。

JM1K材料的研制主要包括以下幾個(gè)方面:1. 合成制備:采用化學(xué)共沉淀法制備高質(zhì)量的JM1K材料。

該方法具有制備簡單、操作方便、成本低等優(yōu)點(diǎn)。

2. 結(jié)構(gòu)表征:通過X射線衍射、掃描電子顯微鏡等方法對(duì)JM1K材料的結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。

該過程可以確保JM1K材料具有合適的晶體結(jié)構(gòu)和晶格參數(shù)。

3. 磁性能測(cè)試:JM1K材料的磁性能是其應(yīng)用于電子設(shè)備的重要指標(biāo)。

使用VSM、BH曲線儀等儀器對(duì)JM1K材料的磁性能進(jìn)行測(cè)試。

4. 應(yīng)用研究:JM1K材料的應(yīng)用包括EMI濾波器、磁隔離器、變壓器、感應(yīng)器等領(lǐng)域。

對(duì)JM1K材料在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用進(jìn)行研究,可以優(yōu)化其在電子設(shè)備中的性能和性價(jià)比。

總之,JM1K材料的研制是EMI減少的關(guān)鍵之一。

該材料具有優(yōu)良的磁性能和高頻特性,在電子設(shè)備中應(yīng)用前景廣闊。

除了前述提到的合成制備、結(jié)構(gòu)表征、磁性能測(cè)試和應(yīng)用研究,還有一些關(guān)鍵的過程和技術(shù)對(duì)于JM1K材料的研制和優(yōu)化起到重要作用。

1. 深度治磁處理:深度治磁可顯著提高軟磁鐵氧體的性能,包括磁導(dǎo)率、矯頑力、飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度等。

深度治磁是通過向材料施加一個(gè)強(qiáng)大的外磁場(chǎng)來實(shí)現(xiàn)的,使其磁矩定向更加完美。

近年來,人們已探索出了多種深度治磁工藝,如多階段治磁、交變磁場(chǎng)治磁、磁滯曲線縱向切除等。

2. 添加劑控制:JM1K材料中添加少量的其他元素或化合物(如Al2O3、TiO2、MnO等)能夠改善其磁性能和高溫穩(wěn)定性。

添加劑的最佳含量需要通過試驗(yàn)確定。

3. 粉體制備:高品質(zhì)JM1K材料的制備需要精密的粉體制備過程,以獲得高晶質(zhì)度和均勻顆粒大小。

選擇合適的工藝和設(shè)備對(duì)于獲得高質(zhì)量的JM1K粉體十分關(guān)鍵。

4. 研磨和壓制:JM1K材料通常需要經(jīng)過研磨和壓制處理,以獲得均勻致密的結(jié)構(gòu)和優(yōu)良的機(jī)械強(qiáng)度。

研磨和壓制過程對(duì)于JM1K材料的性能起到至關(guān)重要的影響。

在JM1K材料的研制過程中,需要綜合考慮上述因素,對(duì)每個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行精準(zhǔn)的控制和優(yōu)化。

這樣才能制備出高品質(zhì)、高性能的JM1K材料,為電子設(shè)備的EMI減少提供更好的解決方案。

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