最大可允許的6V柵極電壓僅比推薦的5V驅動電壓高1V。這個限制要求精確的柵極驅動電源以及eGaN器件和柵極驅動器之間的有限功率電感，因為電感會造成柵極上出現電壓過沖。雖然一些過沖是可以接受的，但也可以完全避免，只要柵極電感滿足以下等式：
功率電感器生產廠
其中：
RSource = 柵極驅動器上的源電阻
LG = 柵極驅動器與eGaN器件之間的環路電感
這樣，對于給定的柵極環路電感，一定有一個最小的源電阻值，用以防止VGS超過其最大限值。
由于宜普（EPC）器件采用芯片級封裝，其封裝電感是微不足道的，所以我們可以把共源電感問題當作布局問題，而非柵極驅動器要求。然而，這些因素相互牽扯在一起，無法形成一個清晰的區分。
CSI的加入將在di/dt期間在CSI上產生一個與柵極驅動電壓相反的電壓，從而降低效率，增加導通和關斷時間
。因此，為了獲得最優異的開關性能，關鍵就是最小化共源電感。乍看起來矛盾的是，如果我們接受CSI會導致增加開關損耗的代價，增加CSI將降低米勒導通的可能性。這是因為在互補器件的“一體成型電感工廠硬”導通時，CSI上的電流一體成型電感交換di/dt將導致柵極上出現負電壓，從而在部分電壓轉換期間有助于器件保持關斷狀態。
這里沒有說明的是，CSI、柵極電容和柵極驅動下拉環路現在形成了一個LCR諧振電路，需要加以抑制以避免在柵極上出現等效的正電壓振鈴。這種振鈴可能在接近末端甚至在電壓轉換完成后再次使器件導通。雖然增加柵極驅動吸收電阻有助于抑制這種LCR諧振，代價是增加了米勒導通敏感度，如果加入于諧振頻率點具有電阻特性（損耗）的鐵氧體磁珠，我們可以取得相同效果，其米勒導通敏感度也不會增加那么多。請參考圖5的等效電路和圖6所示的概念性開關波形。這種效應有時很難與dV/dt導致的米勒導通區分?？偠灾?，CSI對于eGaN FET的重要性要比對于硅器件的重要性高得多，因為其具有更高的di/dt和dV/dt，應該通過仔細的布局設計，把它們減小到最低限度。
